美光 CEO：内存短缺或持续至 2026 年后，新产能 2028 年才能大规模释放
美光 CEO 桑杰·马罗特拉（Sanjay Mehrotra）接受外媒采访时发出预警，称当前全球内存短缺可能延续至 2026 年之后，而行业真正意义上的大规模新产能释放，至少要等到 2028 年。由于全球存储芯片紧缺，美光正在进行大规模扩产。由于产能扩充需要时间，当下美光的核心客户都没有办法完全满足需求。马罗特拉透露，目前美光对核心客户的供应满足度仅能达到 50%至三分之二，供需缺口巨大。“我们预计行业内真正意义上的大体量新产能释放，要到 2028 年前后才会开始显现。”马罗特拉强调，内存制造属于建设周期极长的重资产，从厂房动工到设备调试完成，耗时远超外界想象。（澎湃新闻）
美光 CEO 桑杰·马罗特拉（Sanjay Mehrotra）接受外媒采访时发出预警，称当前全球内存短缺可能延续至 2026 年之后，而行业真正意义上的大规模新产能释放，至少要等到 2028 年。由于全球存储芯片紧缺，美光正在进行大规模扩产。由于产能扩充需要时间，当下美光的核心客户都没有办法完全满足需求。马罗特拉透露，目前美光对核心客户的供应满足度仅能达到 50%至三分之二，供需缺口巨大。“我们预计行业内真正意义上的大体量新产能释放，要到 2028 年前后才会开始显现。”马罗特拉强调，内存制造属于建设周期极长的重资产，从厂房动工到设备调试完成，耗时远超外界想象。（澎湃新闻）
