盛美高温 SPM 清洗方案关键技术获得突破
据盛美上海消息,美国时间 5 月 18 日,在全球半导体表面制备与清洗领域行业盛会——SPCC 2026 上,盛美半导体资深专家 Deepak Kumar 介绍了公司的独特的高温 SPM 工艺,是单片高温硫酸清洗自进入市场十几年来所出现的一个重大技术突破。盛美此次公布的技术提升核心在于:高温 SPM 方案在 15nm 颗粒标准下,控制水平可低至 15 颗以内,显著优于市场主流方案。这一技术性能的提升,将为 GAA 逻辑器件以及 DRAM/HBM 器件的良率提升带来重要支持。
据盛美上海消息,美国时间 5 月 18 日,在全球半导体表面制备与清洗领域行业盛会——SPCC 2026 上,盛美半导体资深专家 Deepak Kumar 介绍了公司的独特的高温 SPM 工艺,是单片高温硫酸清洗自进入市场十几年来所出现的一个重大技术突破。盛美此次公布的技术提升核心在于:高温 SPM 方案在 15nm 颗粒标准下,控制水平可低至 15 颗以内,显著优于市场主流方案。这一技术性能的提升,将为 GAA 逻辑器件以及 DRAM/HBM 器件的良率提升带来重要支持。