消息称三星电子完成 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型开发
三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片 450 层 3D NAND，构建了全球首个 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。