三星电子、SK 海力士拟投资 81 万亿韩元建设 HBM 封装设施
6 月 29 日，韩国政府官员表示，三星电子和 SK 海力士计划在韩国忠清地区投资 81 万亿韩元建设 HBM（高带宽存储）封装设施，进一步提升韩国 AI 存储芯片先进封装能力。此前韩国政府已宣布，将推动约 800 万亿韩元企业投资，在西南地区建设四座存储芯片晶圆厂，并计划未来 15 年投入 30 万亿韩元研发下一代存储技术，加快打造覆盖存储制造、先进封装及半导体材料设备的完整产业链。