三星电子确认 HBM5 将采用 2 纳米 GAA 工艺，速度较 HBM4E 提升 50%以上
三星电子 7 月 27 日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示，预计下一代 HBM5 内存的运行速度将比 HBM4E 快 50%以上，“HBM5 基础芯片将采用 GAA 结构的 2 纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）”。