三星电子确认 HBM5 将采用 2 纳米 GAA 工艺 速度较 HBM4E 提升 50%以上
金十数据 7 月 27 日讯，三星电子半导体事业部技术开发室长具子铉表示，预计下一代 HBM5 内存的运行速度将比 HBM4E 快 50%以上，“HBM5 基础芯片将采用 GAA 结构的 2 纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）”。具子铉称，三星电子将基于在 4 纳米 HBM4 基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在 HBM5 中引入 2 纳米工艺，并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，引领半导体生态系统进一步发展壮大。