国金证券:AI 光模块+NV-CoWoP 预计将带动 mSAP-PCB 快速扩容
金十数据 7 月 28 日讯,国金证券研报指出,mSAP 工艺适用于线宽线距要求高的应用场景(线宽/线距可达 15um 以下),技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等。mSAP 最初应用场景主要为消费电子,AI 光模块+NV-CoWoP 预计将带动 mSAP-PCB 快速扩容。mSAP-PCB 对于上游材料的拉动方面,建议关注
①直写光刻,
②电镀线,
③载体铜箔,
④药水,
⑤low-CTE 电子布,
⑥low-dk 二代布、HVLP4 铜箔等方向。
金十数据 7 月 28 日讯,国金证券研报指出,mSAP 工艺适用于线宽线距要求高的应用场景(线宽/线距可达 15um 以下),技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等。mSAP 最初应用场景主要为消费电子,AI 光模块+NV-CoWoP 预计将带动 mSAP-PCB 快速扩容。mSAP-PCB 对于上游材料的拉动方面,建议关注
①直写光刻,
②电镀线,
③载体铜箔,
④药水,
⑤low-CTE 电子布,
⑥low-dk 二代布、HVLP4 铜箔等方向。