三星发布下一代 AI 存储路线图，展示 zHBM 和 400 层以上 V10 NAND 技术
当地时间 8 月 4 日， 三星电子在美国圣克拉拉举行的 2026 年未来存储与内存大会（FMS）上，公布面向 AI 基础设施的下一代存储技术路线，首次展示 zHBM、zNAND-O 概念产品，并推出采用晶圆键合技术的 400 层以上 V10 BV-NAND。三星表示，zHBM 旨在通过将 HBM 垂直堆叠于 AI 加速器上方，缩短处理器与内存之间的数据传输距离，以提升 AI 训练和推理性能。搭载下一代接口系统的 zHBM 预计性能可达到 HBM5 的约 8 倍，同时借助新型晶圆键合技术，实现超过 HBM5 10 倍的内存密度，并提升能效表现。在 NAND 领域，三星首次发布 V10 BV-NAND 架构，通过晶圆键合技术堆叠存储单元，层数超过 400 层，较上一代 V9 产品内存密度提升约 58%，同时改善读写和输入输出性能。