三星展示 3D 存储器新架构 致力于在 AI 领域处于领先
三星电子展示了其最先进的内存硬件，并宣称性能和能效均有所提升，拟在争夺长期主导地位的竞赛中超越竞争对手 SK 海力士和美光科技。三星在一份声明中表示，这款新系统将高带宽内存垂直堆叠在人工智能加速器之上，性能约为下一代 HBM5 的八倍。该系统采用先进的晶圆键合技术，内存密度也将达到 HBM5 的十倍以上，同时还支持定制化设计。三星计划在今年下半年提高 HBM4 的产量。目前尚未公布 HBM5 或这项未来技术的具体时间表。