SK 海力士正在为其下一代 HBM 方案引入先进封装技术
SK 海力士正在为其下一代 HBM 解决方案引入包括英特尔 EMIB 在内的先进封装技术，并计划最终迈入 3D 封装时代。在 2026 年的 Hot Chips 大会上，SK 海力士封装工程副总裁 Jaesik Lee 发表了题为“高带宽内存的先进封装”的报告，详细阐述了公司将如何利用先进封装技术加速其 HBM 产品路线图，目前 SK 海力士正在探索混合键合（Hybrid Bonding）等方法，以突破 16 层堆叠的限制，未来，SK 海力士还计划通过增加 TSV 数量、提高逻辑工艺集成的 IO 速度，以及优化电源分配网络（PDN）来解决功耗挑战。