中金:玻璃基板有望成为下一代先进封装的重要材料平台,关注核心设备放量
中金公司研报表示,玻璃基板正处于“从 0 到 1”阶段,核心场景为先进封装,成长潜力高。全球头部厂商普遍在试点线建设、样品送样与客户验证阶段,预计 2027-2028 年为小批量商用关键节点。同时,玻璃基板在 CPO 光电共封装、消费电子、通信等领域同步打开,成长空间广阔。玻璃基板至 2030 年设备累计空间近 500 亿元,远期渗透率打开有望达千亿元。设备端建议关注两条核心投资路径:1. 重点关注核心增量环节:TGV 设备,在玻璃面板上高精度高密度通孔,相比 TSV,工艺省略了绝缘层,并降低高速信号的损失;2. 建议关注针对玻璃特性与板级封装特性的改良设备中高价值量、高技术壁垒与低国产化率设备:如 PVD、电镀、曝光、检测等环节。其中,PVD 与电镀环节较为复杂,约占产线投资 40%,电镀环节壁垒高且易出现空芯包洞对基板良率影响较大,整体国产化率仍较低。
中金公司研报表示,玻璃基板正处于“从 0 到 1”阶段,核心场景为先进封装,成长潜力高。全球头部厂商普遍在试点线建设、样品送样与客户验证阶段,预计 2027-2028 年为小批量商用关键节点。同时,玻璃基板在 CPO 光电共封装、消费电子、通信等领域同步打开,成长空间广阔。玻璃基板至 2030 年设备累计空间近 500 亿元,远期渗透率打开有望达千亿元。设备端建议关注两条核心投资路径:1. 重点关注核心增量环节:TGV 设备,在玻璃面板上高精度高密度通孔,相比 TSV,工艺省略了绝缘层,并降低高速信号的损失;2. 建议关注针对玻璃特性与板级封装特性的改良设备中高价值量、高技术壁垒与低国产化率设备:如 PVD、电镀、曝光、检测等环节。其中,PVD 与电镀环节较为复杂,约占产线投资 40%,电镀环节壁垒高且易出现空芯包洞对基板良率影响较大,整体国产化率仍较低。