三星电子发布超 400 层的 V10 BV-NAND，I/O 速度突破 4.8Gbps
V10 是三星最新的 3D NAND 闪存，专为满足人工智能时代对高性能、高容量和节能存储日益增长的需求而开发。三星电子的三层堆叠 HARC（高纵横比）合并技术实现了拥有 400 多条字线的 V-NAND 架构。通过将其与多孔和零虚拟孔技术相结合，在提高制造效率和整体产品质量的同时，V10 较上一代产品（V9）实现 58%的位密度提升。V10 架构拥有高位密度，可支持高达 128TB 的超大容量 SSD，其超过 4.8Gbps 的 I/O 性能支持新一代 PCIe Gen7 SSD。同时，更高的能效有助于降低大规模 AI 数据中心的功耗和总体拥有成本 (TCO)。