外资加速撤离韩国半导体,海力士、三星 6 天净卖出 496 亿元,高盛仍维持买入评级
9 月以来外资抛售节奏明显加快,仅 6 个交易日就从韩国主板市场净卖出 11.93 万亿韩元(约合人民币 577 亿元),三星电子、SK 海力士两大芯片龙头成为减持核心,合计卖出规模占外资总卖出额的八成以上。其中,外国投资者净卖出 SK 海力士 5.85 万亿韩元、三星电子 4.39 万亿韩元,两只半导体股票合计净卖出 10.24 万亿韩元(约合人民币 496 亿元),占同期外资总净卖出额的 86%。高盛于当地时间 14 日表示,在与北美投资者就韩国半导体产业进行讨论后,市场对存储器周期持乐观态度。高盛维持对三星电子和 SK 海力士的“买入”评级。高盛预计,第三季度 DRAM(动态随机存取存储器)和 NAND(闪存)的平均售价将比上一季度上涨约 20%,明年 HBM(高带宽内存)的平均售价将上涨约 100%。三星电子的目标股价为 49 万韩元/股,SK 海力士的目标股价为 350 万韩元/股。(中新经纬)
9 月以来外资抛售节奏明显加快,仅 6 个交易日就从韩国主板市场净卖出 11.93 万亿韩元(约合人民币 577 亿元),三星电子、SK 海力士两大芯片龙头成为减持核心,合计卖出规模占外资总卖出额的八成以上。其中,外国投资者净卖出 SK 海力士 5.85 万亿韩元、三星电子 4.39 万亿韩元,两只半导体股票合计净卖出 10.24 万亿韩元(约合人民币 496 亿元),占同期外资总净卖出额的 86%。高盛于当地时间 14 日表示,在与北美投资者就韩国半导体产业进行讨论后,市场对存储器周期持乐观态度。高盛维持对三星电子和 SK 海力士的“买入”评级。高盛预计,第三季度 DRAM(动态随机存取存储器)和 NAND(闪存)的平均售价将比上一季度上涨约 20%,明年 HBM(高带宽内存)的平均售价将上涨约 100%。三星电子的目标股价为 49 万韩元/股,SK 海力士的目标股价为 350 万韩元/股。(中新经纬)