长鑫 G5 量产 通用 DRAM 工艺逼近国际一线
9 月 20 日，长鑫科技宣布第五代 DRAM 工艺平台 G5 进入量产阶段。此举标志着国产通用 DRAM 在理论工艺密度上已实质性追平国际一线水平，并显著增强长鑫科技在主流市场的成本竞争力与定价话语权。G5 平台通过四重曝光技术在 DUV 体系下实现极限挖潜，使存储位密度较上一代提升 50%，每片晶圆裸片产出大幅增加。在当前存储景气上行、供给偏紧的窗口期，这一跃升为长鑫科技导入国产旗舰手机供应链提供了坚实底气。在 DDR5、LPDDR5X 等通用领域，长鑫科技已具备参与全球成本竞争的实力。此外，随着基于 G5 平台的扩产推进，国产半导体设备占比有望超过 40%，将直接拉动刻蚀、薄膜沉积等环节的设备采购需求，为上游核心供应商带来确定的业绩增量。（一财）
9 月 20 日，长鑫科技宣布第五代 DRAM 工艺平台 G5 进入量产阶段。此举标志着国产通用 DRAM 在理论工艺密度上已实质性追平国际一线水平，并显著增强长鑫科技在主流市场的成本竞争力与定价话语权。G5 平台通过四重曝光技术在 DUV 体系下实现极限挖潜，使存储位密度较上一代提升 50%，每片晶圆裸片产出大幅增加。在当前存储景气上行、供给偏紧的窗口期，这一跃升为长鑫科技导入国产旗舰手机供应链提供了坚实底气。在 DDR5、LPDDR5X 等通用领域，长鑫科技已具备参与全球成本竞争的实力。此外，随着基于 G5 平台的扩产推进，国产半导体设备占比有望超过 40%，将直接拉动刻蚀、薄膜沉积等环节的设备采购需求，为上游核心供应商带来确定的业绩增量。（一财）
