封装满足不了美国，SK 海力士考虑把内存制造也搬过去
SK 海力士在美国的投资，可能正在跨过一条此前刻意保留的界线。 路透社 9 月 16 日援引三名知情人士称，SK 海力士正在与英特尔讨论首次在美国本土制造内存芯片。其中一种方案，是租用英特尔位于俄亥俄州的部分晶圆厂；另一种更大胆的方案，则是 SK 海力士、英特尔以及希望锁定内存供应的大型云计算企业共同组建合资公司。谈判仍处于探索阶段，具体生产 DRAM、NAND 还是其他产品也没有确定。SK 海力士随后强调，目前尚未决定与特定企业合作，也没有最终确定美国内存生产计划。 今年 8 月，SK 海力士刚刚为印第安纳州工厂举行奠基仪式，总投资超过 40 亿美元，计划 2029 年下半年量产下一代 HBM。这个项目被包装为首个“美国制造”HBM 基地，但核心 DRAM 晶圆实际上仍然在韩国生产，再运到美国完成先进封装和测试。换句话说，美国拿到的是 HBM 产业链非常重要的一环，却还没有拿到 SK 海力士最核心的前道晶圆制造。 现在讨论俄亥俄项目，性质就不同了。 如果 SK 海力士真的把 DRAM 晶圆制造搬到美国，美国半导体本土化就将从“把最后几道关键工序放在美国”，进一步变成“把核心芯片本身也在美国制造”。（观察者网）
SK 海力士在美国的投资，可能正在跨过一条此前刻意保留的界线。 路透社 9 月 16 日援引三名知情人士称，SK 海力士正在与英特尔讨论首次在美国本土制造内存芯片。其中一种方案，是租用英特尔位于俄亥俄州的部分晶圆厂；另一种更大胆的方案，则是 SK 海力士、英特尔以及希望锁定内存供应的大型云计算企业共同组建合资公司。谈判仍处于探索阶段，具体生产 DRAM、NAND 还是其他产品也没有确定。SK 海力士随后强调，目前尚未决定与特定企业合作，也没有最终确定美国内存生产计划。 今年 8 月，SK 海力士刚刚为印第安纳州工厂举行奠基仪式，总投资超过 40 亿美元，计划 2029 年下半年量产下一代 HBM。这个项目被包装为首个“美国制造”HBM 基地，但核心 DRAM 晶圆实际上仍然在韩国生产，再运到美国完成先进封装和测试。换句话说，美国拿到的是 HBM 产业链非常重要的一环，却还没有拿到 SK 海力士最核心的前道晶圆制造。 现在讨论俄亥俄项目，性质就不同了。 如果 SK 海力士真的把 DRAM 晶圆制造搬到美国，美国半导体本土化就将从“把最后几道关键工序放在美国”，进一步变成“把核心芯片本身也在美国制造”。（观察者网）
