铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片完成流片，采用 1T4R 存储结构
10 月 14 日，界面新闻获悉，铭芯启睿（MemSilicon）近日宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台及 1T4R 存储结构，单芯片容量达 1Gb，存储密度为 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。据悉，1T4R 结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元，以提高存储密度。