SK 海力士推出 3D FeNAND 技术
SK 海力士现已公布 3D FeNAND 实现模拟存内计算的研究成果，相关研究已发表于 IEEE 论文。据介绍，A-CiM 可利用模拟信号直接在存储器执行乘积累加运算，减少数据搬运、提升处理速度和能效。SK 海力士表示，FeNAND 可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合 AI 计算所需的权重数据。