三星将在英伟达下一代 HBM 中采用台积电技术
韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士消息报道，三星电子计划使用台积电 3 纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。英伟达已要求三星、SK 海力士和美光，在其定制 NVHBM 产品的基底裸片生产上统一采用台积电 3 纳米工艺。英伟达希望各供应商统一制造流程，保障产品性能一致。此举是三星首次在 HBM 制造环节与台积电开展合作。NVHBM 基于第七代 HBM4E 架构开发。