闪迪 CEO：首款高带宽闪存（HBF）已完成流片 预计明年向客户交付首批样品
闪迪董事长兼首席执行官 David Goeckeler 美东时间周四在 2027 财年第一财季电话会议上表示，首款高带宽闪存（HBF）存储芯片已完成流片。HBF 是一种用于推理的新型存储架构，其读取带宽与 HBM 相当，但容量更大……旨在通过将 NAND 级容量更靠近处理器来补充 HBM。” 预计明年将向客户交付首批样品。