国产存储芯片龙头长鑫科技第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。10 月 30 日，长鑫科技在第三季度业绩交流会中透露，在 4F²垂直沟道 DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍 4F²架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于 4F²架构。
按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。此前长鑫在公开演讲中表示，预计年底将面向应用难度最高的领域之一的服务器领域，推出融合 4F²先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。
就公开披露的进度而言，长鑫在 4F²工程化推进上处于全球前列：三星、SK 海力士均已将 4F² 列为 10nm 级以下的关键方向，长鑫率先完成了工程样片验证；如后续进展顺利，长鑫有望成为全球首个落地 4F²的企业。（澎湃）